硅-相变材料异质集成波导结构、非易失波导移相器
知识产权简介
一种硅-相变材料异质集成波导结构，包括硅平板层，以及沉积在该硅平板层上的相变材料。以及一种非易失波导移相器，包括基层，以及固定在该基层上的异质集成波导结构和硅波导模斑转换结构，异质集成波导结构的两端对称连接所述的硅波导模斑转换结构；硅波导模斑转换结构，包括呈轴对称设置的两个由窄变宽的硅波导，以及设置在该两个硅波导上方之间的由宽变窄的脊形波导；氧化铝薄膜覆盖在相变材料的上方，在所述的氧化铝薄膜上方的是单层石墨烯，该单层石墨烯上是金属层，所述的金属层包括二个金属电极。单层石墨烯与金属电极形成欧姆接触，电流通过石墨烯产生热量，经单层石墨烯下方的氧化铝薄膜进行传导，提供低损耗相变材料相变所需的热量。本发明移相器具有结构紧凑、插入损耗低、驱动电压小、相变功耗低、相位调节非易失等优点，可以作为集成光电子芯片中的核心光路调控器件。