薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
知识产权简介
本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：有机半导体层和源漏电极层，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。本发明提供的薄膜晶体管中，功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势垒以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而能够减小源漏电极层与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。
本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：有机半导体层和源漏电极层，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。本发明提供的薄膜晶体管中，功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势垒以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而能够减小源漏电极层与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。