逻辑和存储功能可重构的铁电晶体管器件及其制备方法
知识产权简介
本发明提供一种逻辑存储功能可重构的铁电晶体管器件，所述器件包括三种结构，包括其中一种结构的制备方法。所述第一种和第二种结构包括一个双栅铁电晶体管器件和一个传统金属-绝缘层-半导体晶体管器件，所述传统金属-绝缘层-半导体晶体管器件的源漏电极与所述铁电晶体管器件的两个栅极分别连接，可以通过所述传统金属-绝缘层-半导体晶体管器件的栅极作为控制端，实现所述铁电晶体管器件在存储和逻辑功能之间重构。所述结构的实现方法包括但不限于通过氧化物半导体沟道材料进行三维集成。所述第三种结构包括一个连接源漏电极的半导体薄膜，所述半导体薄膜两面分别设计传统金属-绝缘层-半导体晶体管和传统金属-铁电层-介电层-半导体晶体管，通过传统金属-绝缘层-半导体晶体管作为控制端实现铁电晶体管逻辑和存储功能之间的重构。