多层状钙钛矿，装置，及其制造方法
知识产权简介
本发明描述了包括将烷基卤化铵金属膜与烷基卤化铵，其中金属卤化物薄膜包含第一烷基铵和含卤素的金属，所述烷基铵卤化物包括第二个卤素，使得烷基卤化铵混合金属接触形成金属膜，其与烷基铵卤化物膜，其中所述烷基铵混合卤化金属膜包括第一个卤素，第二卤素和金属。
本发明描述了包括将烷基卤化铵金属膜与烷基卤化铵，其中金属卤化物薄膜包含第一烷基铵和含卤素的金属，所述烷基铵卤化物包括第二个卤素，使得烷基卤化铵混合金属接触形成金属膜，其与烷基铵卤化物膜，其中所述烷基铵混合卤化金属膜包括第一个卤素，第二卤素和金属。