低能电子发射装置及微区化学反应加工方法

  • 国民经济行业:制造业/专用设备制造业/电子和电工机械专用设备制造/电子工业专用设备制造
  • 学科类别:电子、通信与自动控制技术/半导体技术/半导体加工技术
  • 权利人:上海交通大学

知识产权简介

本申请所要解决的技术问题是,激光束聚焦极限受衍射限制,加工精度多为微米级,难以满足纳米级需求的问题。其主要的发明点在于提出了一种低能电子诱导的微区化学反应加工方法,1) 末端针尖连接电源负极,可调节偏压,结合定点反应气体供给实现针尖与微区气体控制;2) 使用低能量源加工,彻底避免高能粒子导致的晶格畸变、离子注入污染等问题;3) 使用同轴供气方法,气体输送直接对准加工区域,反应气体利用率高,减少气体浪费,同时降低真空腔内部残留气体对加工的影响。

转化前景

本申请提出了一种低能电子诱导的微区化学反应加工方法,技术优势在于:1)电子发射装置的针尖尺寸达原子级,结合定点反应气体供给,可实现高分辨的精细结构加工。2)使用低能量源加工,实现低损伤、高精度纳米加工。3)同轴供气设计实现微区气体浓度的精准调控,避免反应气体扩散导致的加工边缘模糊,提高反应选择性。从生产实施角度考虑,本申请技术方案可以实现低损伤、高分辨的精细结构加工;实现微区气体浓度的精准调控;通过更换反应气体类型,可灵活实现加法沉积和减法刻蚀。本申请技术方案彻底避免了高能离子/电子导致的晶格畸变、离子注入、电荷积累等问题,尤其适用于半导体器件、柔性材料、生物芯片等对损伤敏感的样品加工。

基本信息

权利人 上海交通大学
知识产权类型 专利
意向合作模式 许可
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