一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺
知识产权简介
本发明公开了一种温度梯度法生长氟化镁钡单晶的工艺，所述工艺包括：对生长炉内抽真空至真空度小于6×10-3Pa；以10～100℃/小时的升温速率升温至500～600℃后充入高纯保护氩气；继续升温至950～1050℃，保温至原料全部熔化；再以2～10℃/小时速率降温至800～850℃，保温至晶体完全结晶；当晶体结晶结束，将温度梯度调整为零，进行原位退火；退火结束，以5～20℃/小时速率降温至室温。本发明工艺具有温场稳定，生长过程中无需通入有毒气体，生长的BaMgF4单晶完整性好，成品率高，晶体尺寸和外形可控，且对设备无苛刻要求、操作简单、环境友好、有利于实现工业化生产等优点。