铟镓砷光电探测器
知识产权简介
铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、Inp增强层、金属电极组成。具有结构新颖、无需掺Fe、工艺简单、稳定可靠、成品率高，势垒增强效果好，长波长(1.3～1.55微米)响应，高速，低暗电流，特别是便于与场效应管(FEI)同片集成的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的较为理想的光电探测器。
铟镓砷光电探测器，属于微电子学光电子技术领域。本发明是由衬底、缓冲层、吸收层、Inp增强层、金属电极组成。具有结构新颖、无需掺Fe、工艺简单、稳定可靠、成品率高，势垒增强效果好，长波长(1.3～1.55微米)响应，高速，低暗电流，特别是便于与场效应管(FEI)同片集成的优点，是一种广泛应用于光纤通讯领域中的较为理想的光电探测器。