一种TGV集成磁通门芯片
知识产权简介
本申请涉及微机电系统领域，尤其涉及一种 TGV 集成磁通门芯片，包括玻璃衬底、 激励线圈、检测线圈、矩形磁芯、电极；玻璃衬底上下表面分别分布矩形凹槽和微槽 阵列；所述激励线圈和所述检测线圈均为微机电三维螺线管导电线圈；激励线圈和所 述检测线圈的底层线圈位于第一片玻璃衬底下表面的所述微槽阵列内，底层线圈的铜 通电导线之间由微槽阵列间隙的玻璃衬底绝缘，底层线圈表面与第一片玻璃衬底下表 面平齐；激励线圈和所述检测线圈的顶层线圈位于第二片玻璃衬底下表面的所述微槽 阵列内，顶层线圈表面与所述第二片玻璃衬底下表面平齐；矩形磁芯位于第一片玻璃衬底上表面的矩形凹槽内，矩形凹槽深度大于矩形磁芯厚度以保护磁芯与顶层线圈无接触；矩形磁芯两侧的 玻璃衬底中分布 TGV 铜连接导体阵列，连接导体阵列在第一片玻璃衬底下表面分别连 接对应所述底层线圈的两端实现电导通；铜连接导体阵列通过与顶层线圈铜通电导线的两端之间的低温电铜-铜直接键合连接，形成完整的微机电三维螺线管导电线圈； TGV 集成磁通门芯片通过电极实现信号的输入输出。 本申请具有低成本， 体积小，重量轻，耐高温和震动冲击的特定的效果。
转化前景
本实施例所述的TGV集成磁通门芯片，其为基于MEMS技术的平面磁通门传感器，能精确检测电流磁场。本发明采用类跑道型的矩形磁通门结构设计，激励线圈与检测线圈均绕制在磁芯长轴上，磁芯为电镀坡莫合金，传感器具有易于批量制造、成本低、灵敏度高、噪声低以及能耗低的特点。其中，采用玻璃衬底直接贴合，低温热压铜-铜键合工艺连接通电导线形成完整的TGV集成磁通门芯片，结构紧凑，制造方法快速简易，制造周期短，大幅降低生产成本，有效促进TGV集成磁通门芯片的大规模广泛应用，而且与微电子工艺兼容性差，工艺过程污染严重，良品率低且成本昂贵的问题，提高了生产效率，降低了磁通门传感器芯片的噪声和能耗，提高了信号响应速度。